El almacenamiento del Galaxy S23 UFS 4.0 promete velocidades de hasta 32,2 Gbps

0 promete velocidades de lectura y escritura de hasta 32,2 Gbps.

Él Samsung Hoy presentó su última solución de almacenamiento UFS ultrarrápido, que ofrece niveles de rendimiento que avergonzarían a los discos duros tradicionales. El nuevo estándar UFS 4.0 promete velocidades de lectura y escritura de hasta 32,2 Gbps. Según la compañía, esto hará que la carga diferida de archivos grandes en la memoria sea una «cosa del pasado». Esta noticia es especialmente emocionante para los fanáticos de los teléfonos inteligentes Galaxy de Samsung Quienes han esperado durante mucho tiempo una revolución en la velocidad de almacenamiento del teléfono. Aunque no está claro qué dispositivos se actualizarán con UFS 4.0, es seguro decir que la línea Galaxy S23 será uno de los dispositivos seleccionados.

Aunque todavía estamos a unos meses de la llegada de la próxima generación de smartphones de gama alta, Samsung ha querido ir más allá y ha anunciado una de las tecnologías que probablemente debutará junto a los smartphones insignia del próximo año: Técnica Desde memoria UFS 4.0.

Hoy, la compañía reveló su solución de almacenamiento flash de mejor rendimiento hasta la fecha, con velocidades que pueden duplicar las alcanzadas por la tecnología UFS 3.1 utilizada en la mayoría de los teléfonos inteligentes de gama alta en la actualidad.

El nuevo chip de almacenamiento UFS 4.0 podría aparecer el próximo año junto con el Galaxy S23.

El almacenamiento UFS 4.0 promete velocidades de hasta 32,2 Gbps.

La compañía asegura que esta nueva solución de almacenamiento es ideal para smartphones con conectividad red 5G, que requieren grandes cantidades de procesamiento de datos. Y UFS 4.0 puede lograr un ancho de banda de hasta 23,2 Gbps por «canal», el doble del ancho de banda de UFS 3.1.

“Con el avanzado V-NAND de séptima generación de Samsung y el controlador patentado, UFS 4.0 ofrecerá velocidades de lectura secuencial de hasta 4200 MB/s y velocidades de escritura secuencial de hasta 2800 MB/s”.

Además de las mejoras de rendimiento y ancho de banda, UFS 4.0 también incorpora avances en el consumo de energía, gracias a una mayor eficiencia. Según Samsung, los dispositivos equipados con este tipo de chipset podrán alcanzar velocidades de lectura de hasta 6 MB/s por mA, lo que supone una mejora del 46 % respecto a la generación anterior.

A todo esto hay que sumarle un formato muy compacto, con unas dimensiones máximas de 11 x 13 x 11 mm. En cuanto a la capacidad, habrá muchas variantes, hasta 1 TB.

Samsung planea comenzar la producción en masa de chips de memoria UFS 4.0 durante el tercer trimestre de este año. Entonces, si bien es poco probable que la próxima generación de teléfonos inteligentes plegables de la marca incluya esta tecnología, es posible que el Samsung Galaxy S23 del próximo año sea el primero en debutar con UFS 4.0.

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Gualtiero Varas

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